我的工作是做操作系統存儲驅動相關的東西，包括文件系統、存儲驅動、USB 都接觸過，把盤寫壞了的事情還是遇到過不少次的。
如果把寫壞的盤做一個匯總，可以總結以下幾個特點：
1. 基本上都是不出名的小廠的盤，大廠尤其是Intel 的盤在壓力測試下也沒出過問題，Intel 的盤不僅耐用，並且掉電丟數據的情況也很少。
2. 新產品更容易壞，比如NVMe 剛出來的時候，各種雜牌子的盤很多，壞的也多，但過了一段時間以後，NVMe 的穩定性比第一批盤要好。這個規則也適用於SATA-SSD（以下簡稱SSD），但是因為SSD 已經比較成熟了，所以SSD 的問題相對於NVMe 來說要少一些。
3. 操作系統上層操作很難寫壞一個盤，因為盤自身帶緩存，解決方法是發送硬件的flush(SYNC)命令，並且不要使用TRIM 命令。
早年（大概8 年前）SSD 剛開始普及的時候，雜牌子的SSD 比較多，國外客戶更是什麼樣的盤都有，寄過來一些故障盤，發現在持續烤機一段時間（大概一個月）以後，性能開始下降，文件系統（RTOS 上的）性能從200MB/s 左右下降到不到100MB/s，這個時候盤已經快要壞了，大版本release 測試的時候發現性能有下降，會用不同的盤測一下，如果是某個特定的盤的問題，那麼就會把這個盤從測試環境裡取出來，不再繼續使用。這些盤年代久遠，印像不太深刻。
我印象深刻的是兩年前我寫壞過一個NVMe 盤，盤不是我買的，但是因為我們文件系統的性能距離官方數據有一定差距，並且想研究一下TRIM(DISCARD)的影響，我就拿過來研究了一下（順便說一下，有幾個回答裡有人提到過這個品牌，這個品牌名聲一般）。為了避免硬件緩存的影響，我每次測試之前，會全盤寫一遍0x55，再寫一遍0xAA，每寫一段就發一個SYNC 命令，這樣能迫使硬件緩存完全失效，並且會完全消耗一次PE 次數。寫完一遍55/AA 之後，再進行後續性能測試（以每次256KB 的數據塊寫2GB 的內容）。
這個NVMe 盤（PCI-E）裸寫的速度大概是700-800MB/s，在我反复擦寫0x55/0xAA 大概5 次左右的時候，盤的寫速度突然掉到200MB/s，之後一直就保持在這個速度上了。
基本上可以認為這個盤已經壞了。
評論有人說SSD 跟NVMe 是一種東西，不應該這麼比，我回答裡的SSD 特指SATA-SSD，二者的主控並不一樣，NVMe 剛流行的那兩年，因為主控問題導致NVMe 掛掉的盤很多，第一批NVMe 的主控技術並不好。主控對閃存的性能和壽命影響是很大的。
所以，要問固態盤快要壞了的時候是什麼現象，那麼首先可能遇到的是掉速問題，頻繁擦寫（尤其是寫一輪55/AA）可能會導致固態盤的負載均衡算法失靈；也可能會零碎的丟失一些數據，但考慮到盤本身很大，如果不是像Chia 那樣P 盤的話，未必能發現異常的數據塊。
正常使用，尤其是用大廠的盤，一般不會有什麼問題，我手頭的Intel SSD 730 Series 240GB，是2014 年買的，作為系統盤使用至今沒有任何問題。但另外一塊SanDisk 的1T SSD，用了不到4 年，已經有好幾塊壞快了（但還能用）。但是大廠的東西，貴是真的貴，一分錢一分貨，十分錢兩分貨。
寫廢盤的測試流程（注：繞過文件系統，直接操作驅動）：
1. 申請256KB 的固定緩存；
2. 緩存填充0x55，從第一個扇區寫到最後一個扇區；
2.1. 每寫完1G，發送一次硬件Flush 命令（NVMe：Flush Cmd 0x00，SATA：ATA_CMD_FLUSH 0xE7/0xEA）
3. 緩存填充0xAA，從第一個扇區寫到最後一個扇區；
3.1. 每寫完1G，發送一次硬件Flush 命令（同上）
4. 準備1-2GB 的內存，按偏移量對0x100 求餘填充數據
5. 計時，寫入數據，計算性能
6. 計時，讀取數據，計算性能，校驗
7. 發送Flush 命令，並重複4-6 步驟多次（>5）求平均數
